靜電的產(chǎn)生是因?yàn)椴煌镔|(zhì)的物體互相摩擦?xí)r，正負(fù)電荷分別積蓄在兩種物體上。例如，化纖衣物的摩擦引起的靜電，當(dāng)它們與其他系統(tǒng)接觸時(shí)便會(huì)放電形成靜電放電干擾。其放電電壓可高達(dá)2—30kV。實(shí)驗(yàn)證明，人體所帶的靜電一般為10V—15kV。在 靜電放電發(fā)生器電子控制設(shè)備外殼上放電是經(jīng)常見(jiàn)到的放電現(xiàn)象，放電電流流過(guò)金屬外殼，產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，通過(guò)分布阻抗鍋臺(tái)到殼內(nèi)的電源線、信號(hào)線等內(nèi)部走線，引起誤功作。電子控制設(shè)備的信號(hào)線或地線上也可直接放電，如鍵盤或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴(yán)重。 現(xiàn)在的電子設(shè)備廣泛使用的CMOS芯片，是zui易受靜電干擾的器件。盡管現(xiàn)在應(yīng)用的大多數(shù)CMOS器件采取了一些保護(hù)措施來(lái)防止靜電干擾，但是，由于器件本身結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，對(duì)靜電引起的破壞仍然不可掉以輕心。CMOS器件結(jié)構(gòu)的顯著特點(diǎn)是輸入阻抗*，可達(dá)1000M O；內(nèi)部的極間電容量很小，不超過(guò)1pF。當(dāng)帶有靜電的人體接觸到CMOS器件的控制極時(shí)，人體向cMOS器件放電。由于輸入阻抗*，放電電荷不能泄入接地極，而是注入控制極，極間電容立即被充電到很高電壓，把氧化膜擊穿；放電電流流入器件內(nèi)部，瞬時(shí)值高達(dá)幾十安的放電電流使器件發(fā)熱，迅速燒熔，導(dǎo)致?lián)p壞。 靜電放電發(fā)生器*杜絕靜電放電現(xiàn)象是比較困難的。但在線路原理、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、安裝環(huán)境和操作步驟等方面采取適當(dāng)措施，則可使靜電放電的危害程度降到zui低。 抑制靜電放電干擾必須從兩方面著手：避免產(chǎn)生靜電；切斷靜電放電電流途徑。抑制 靜電放電發(fā)生器靜電放電干擾的措施有如下幾種： （1）CMOS器件的防靜電方法。其一是輸入引腳不能浮空。如果輸入引腳浮空，在輸入引腳上很容易積累電荷。盡管CMOS器件的輸入端都有保護(hù)電路，靜電感應(yīng)一般不會(huì)損壞器件，但很容易使輸入引腳電位處于0—1V間的過(guò)渡區(qū)域。這時(shí)反相器上、下兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管均會(huì)導(dǎo)通，使電路功耗大大增加。其二是設(shè)法降低輸入電阻，可以將輸入引腳與電源之間或與地之間接入一個(gè)負(fù)載電阻(1—10kO)，為靜電電荷提供泄流通路。其三是當(dāng)用CMOS器件與長(zhǎng)傳輸線連接時(shí)，應(yīng)通過(guò)一個(gè)們r(jià)L緩沖門電路之后再與長(zhǎng)傳輸線相連。 (2)環(huán)境濕度以維持在45％—65％為宜。因?yàn)殪o電的生成與濕度有密切關(guān)系，環(huán)境越是干燥，越容易產(chǎn)生靜電。 (3)機(jī)房地板應(yīng)使用絕緣性能差的材料，如盡量鋪設(shè)有導(dǎo)電性的塑料地板。 (4)檢驗(yàn)設(shè)備時(shí)，在操作臺(tái)上放置接地的金屬極，以使操作人員身上的靜電立刻入地。 (5)操作人員工作時(shí)，不可穿容易帶靜電的化纖衣服和鞋帽等。 (6)操作人員在工作時(shí)本身應(yīng)有接地措施，如手腕上系戴金屬接地的鏈閡等。 (7)焊接元器件時(shí)，務(wù)必使用烙鐵頭接地的電烙鐵。其他設(shè)備、測(cè)試儀器及工具也應(yīng)有良好接地措施。 (8)搬運(yùn)、儲(chǔ)存及裝配作業(yè)過(guò)程中，應(yīng)注意使CMOS器件的各個(gè)引腳保持相同電位，如用鋁箔包裝，或者放于有良好導(dǎo)電性的包裝袋或盒子中。 (9)若難以營(yíng)造不易產(chǎn)生靜電的環(huán)境，則應(yīng)從提高電子設(shè)備表面的絕緣能力著手。在可能發(fā)生靜電放電部位或裝置加強(qiáng)絕緣或加以屏蔽，并接地良好。例如：柜體表面涂刷絕緣漆；操作開關(guān)等部位留足隔離間隙等；也可以用絕緣薄膜等遮蓋整個(gè)機(jī)柜。這樣，雖然帶電的人或物體觸碰設(shè)備，也不致于產(chǎn)生放電電流。 |
