傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
采用 GTEM 橫電磁波傳輸室進(jìn)行電磁兼容性能測(cè)試是近年來(lái)電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項(xiàng)測(cè)量新技術(shù)。 由于 GTEM 的寬頻帶性能（ 從直流至微波 ）； 低花費(fèi)造價(jià)（ 大約只相當(dāng)建造電波暗室造價(jià)的百分之幾 ）； 即可用于電磁輻射敏感度 EMS （ 抗擾度 ）的測(cè)試， 也可用于電磁輻射干擾 （ EMI ） 的測(cè)試， 系統(tǒng)所需配套的儀器設(shè)簡(jiǎn)單，易于快速測(cè)量和自動(dòng)控制，  從而受到國(guó)內(nèi)外有關(guān)領(lǐng)域的高度重視?？v觀目前出現(xiàn)或應(yīng)用的各種測(cè)量小室、 屏蔽室、電波暗室、開闊測(cè)試場(chǎng)等，  采用 GTEM 進(jìn)行電磁兼容性能測(cè)試仍是當(dāng)今性能價(jià)格比*的選擇。中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院八十年代末即派研究人員赴德國(guó)從事 GTEM 的研究和電磁兼容測(cè)試技術(shù)的合作和交流，  參與了世界*臺(tái) GTEM 產(chǎn)品的裝調(diào)和測(cè)試工作， 并與 GTEM 技術(shù)的發(fā)明人 D.Hansen 博士建立了深入的技術(shù)交往和協(xié)作關(guān)系。有關(guān)研究人員于九十年代初即在我國(guó)*采用時(shí)域反射 TDR 調(diào)測(cè)技術(shù)研制出具有*水平的 NIM-GTEM 室，  并圓滿完成了電磁場(chǎng)分布的實(shí)驗(yàn)和測(cè)試，  在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物及研討會(huì)上發(fā)表了數(shù)篇研究報(bào)告和學(xué)術(shù)論文， 引起了國(guó)內(nèi)外有關(guān)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。 D.Hansen 博士在看了 NIM-GTEM 的研制實(shí)驗(yàn)結(jié)果后，  給予了很高的評(píng)價(jià)。諸多世界著名的 EMC 測(cè)量?jī)x器制造公司在中國(guó)的市場(chǎng)推薦采用我院研制的 GTEM 作為其配套設(shè)備。中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院是直屬于國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局的科研單位， 承擔(dān)*的法定計(jì)量和檢測(cè)工作以及量值的溯源和間的比對(duì)?？茖W(xué)、公正、準(zhǔn)確、服務(wù)于社會(huì)是其一貫宗旨。經(jīng)過(guò)幾年不斷的研究和改進(jìn)由該院電磁兼容檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室研制開發(fā)的 NIM-GTEM 測(cè)試裝置， 已先后服務(wù)于航天、電子、電力、國(guó)防、電信、計(jì)量、測(cè)試、技術(shù)監(jiān)督質(zhì)檢等電磁兼容測(cè)量檢驗(yàn)部門。此外，根據(jù)用戶的需求， 還可提供配套設(shè)備及完善的軟件支持和測(cè)控調(diào)試技術(shù)服務(wù)。

傳導(dǎo)抗擾度測(cè)試系統(tǒng)的操作過(guò)程需遵循電磁兼容（EMC）標(biāo)準(zhǔn)，以下是關(guān)鍵操作步驟及注意事項(xiàng)：

1.設(shè)備準(zhǔn)備與連接  

核心設(shè)備：  

射頻信號(hào)發(fā)生器：用于生成干擾信號(hào)。  

功率放大器：放大信號(hào)發(fā)生器的輸出，確保干擾信號(hào)強(qiáng)度滿足測(cè)試等級(jí)要求。  

耦合/去耦裝置：如耦合去耦網(wǎng)絡(luò)（CDN）、電流鉗或電磁鉗，用于將干擾信號(hào)注入被測(cè)設(shè)備的電源線或信號(hào)線。  

衰減器與濾波器：固定衰減器（如6dB衰減器）用于匹配阻抗，減少信號(hào)反射；低通/高通濾波器用于分離干擾信號(hào)。  

監(jiān)測(cè)工具：示波器、探頭或數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，用于監(jiān)測(cè)被測(cè)設(shè)備的性能變化。  

連接方式：  

被測(cè)設(shè)備（EUT）通過(guò)絕緣支架放置在參考地平面上，距金屬物體至少0.5米。  

電纜應(yīng)平行懸空，距離地面至少30mm，避免與金屬接觸。  

調(diào)制方式：  

連續(xù)波（CW）：無(wú)調(diào)制，用于基礎(chǔ)抗擾度測(cè)試。  

幅度調(diào)制（AM）：調(diào)制度80%±5%，調(diào)制頻率1kHz（正弦波）。  

測(cè)試等級(jí)：  

根據(jù)電磁環(huán)境選擇試驗(yàn)等級(jí)（1類低電平、2類中等、3類嚴(yán)酷）。  

典型電壓等級(jí)：CDN法（1V/3V/10V）、電磁鉗（18Vrms）、電流鉗（13Vrms）。  

2.校準(zhǔn)與環(huán)境控制  

系統(tǒng)校準(zhǔn)：  

使用固定衰減器、校準(zhǔn)套件對(duì)信號(hào)發(fā)生器、功率放大器和耦合裝置進(jìn)行校準(zhǔn)，確保輸出精度。  

校準(zhǔn)時(shí)間應(yīng)小于30秒以提高測(cè)試效率。  

測(cè)試環(huán)境：  

在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行，避免外界電磁干擾。  

接地良好，輔助設(shè)備（如電源、負(fù)載）應(yīng)與地平面連接。  

3.干擾信號(hào)注入與測(cè)試執(zhí)行  

耦合方式選擇：  

CDN法：優(yōu)先用于電源線、平衡線等，通過(guò)電容耦合或直接注入干擾信號(hào)。  

電流鉗：適用于多芯電纜，通過(guò)感性耦合注入干擾，需將電纜置于鉗中心以減少電容耦合。  

電磁鉗：適合高頻（>1.5MHz），通過(guò)容性與感性組合耦合干擾。  

測(cè)試過(guò)程：  

按頻率點(diǎn)或分段掃描施加干擾信號(hào)，每個(gè)頻點(diǎn)駐留時(shí)間0.5s~999s。  

監(jiān)測(cè)被測(cè)設(shè)備的性能指標(biāo)（如通信功能、顯示穩(wěn)定性等），記錄敏感頻率點(diǎn)。  

4.結(jié)果判斷與報(bào)告  

抗擾度判據(jù)：  

判據(jù)A：無(wú)功能下降或性能異常。  

判據(jù)B：允許短暫功能異常，但可自行恢復(fù)。  

判據(jù)C/D：功能喪失或設(shè)備損壞，需人工干預(yù)或維修。  

數(shù)據(jù)記錄：  

自動(dòng)生成測(cè)試報(bào)告（如Word格式），包含頻點(diǎn)、干擾強(qiáng)度、設(shè)備響應(yīng)等。  

支持自定義報(bào)告模板，便于溯源和復(fù)測(cè)。  

關(guān)鍵注意事項(xiàng)  

安全保護(hù)：設(shè)備需配置過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)，防止高等級(jí)測(cè)試損壞被測(cè)設(shè)備。  

線纜處理：避免電纜觸地或靠近金屬物體，減少干擾信號(hào)衰減。